日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站（夏季会）上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214，展示亮点是其最新的业界领先的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。
 
在2013中国电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET，提高效率的600V和650V E系列器件，以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封装的50W前大灯照明LED驱动。重点展示的电源IC包括3mm x 3mm DFN10封装的28V可编程的保护智能负载开关，5mm x 5mm封装的高密度60A功率级，100V全桥PWM控制器功率级。
 
Vishay Semiconductors将展示多种二极管产品，包括SMPD封装的45V～120V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器和50V高电流密度器件，用于电动汽车、UPS和太阳能逆变器的Gen2 650 V FRED Pt®超快二极管，以及FRED Pt 超快恢复整流器。
 
另外，Vishay Semiconductors的表面贴装PAR®和TRANSZORB®瞬态电压抑制器也让人眼前一亮，还有白光高亮度、高功率LED模块，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，以及全集成的接近和环境光传感器等光电子产品。
 
Vishay的无源元件包括多种最新型电容器、电阻和电感器。颇值得一看的电阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高电流温度保险丝，Vishay Draloric 20kW不锈钢功率电阻，以及采用模塑外壳的Vishay Dale Power Metal Strip®电池电流采样电阻。
 
主推的电容器包括Vishay Vitramon高频RF和微波MLCC，可用于DC-link和AC应用的高峰值电流Vishay Roederstein薄膜电容器，以及Vishay ESTA功率电容器。主推的电容器还包括Vishay Sprague MICROTAN®固钽片式电容器和Vishay液钽电容器。
 
Vishay Dale将展出薄型、高电流IHLP®器件等电感器，用于LED SEPIC转换器电路的IHCL耦合电感器，IWAS无线充电的Rx线圈。
 
除此以外，Vishay还将在2013中国电子展的展位上进行两项产品演示。Vishay Siliconix将展示对优化了热和电性能的SiZF904DT PowerPAIR® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors将系统演示采用低正向电压和快速导通时间的TMBS整流器，以及高阻抗和减少信号损失的低CJ TVS产品。