ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM（罗姆，总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。
与IGBT等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。
ROHM于2010年全球首家开始SiC MOSFET的量产，作为SiC功率元器件的领军企业，ROHM一直在推动世界先进的产品开发。另外，在汽车领域，ROHM于2012年在业界率先开始供应车载产品，并在电动汽车的快速充电用车载充电器领域拥有很高的市场份额，该产品在电动汽车的电机和逆变器中的采用也日益加速。
此次，ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用，与以往的OBC相比，新OBC所在单元的效率提高了1%（效率高达95.7%，功率损耗比以往降低约20%）。并且，这一先进的解决方案获得了UAES颁发的2019年度最佳技术进步奖。
未来，ROHM将作为SiC功率元器件的领军企业，不断壮大产品阵容，并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势，继续提供有助于下一代汽车技术创新的电源解决方案。
采用SiC MOSFET的好处
在大功率（高电压×大电流）范围中，与Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“开关损耗和传导损耗小”、“抗温度变化能力强”等优点。得益于这些优点，当SiC MOSFET用于电动汽车的车载充电器和DC/DC转换器等产品中时，可降低功率转换时的损耗并实现散热部件的小型化，高频工作还可实现线圈小型化，从而有助于提高应用的效率、减少部件数量并缩减安装面积。
ROHM的SiC功率元器件开发历史
金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。
*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管），同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。
*3)传导损耗、开关损耗。因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。
