Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），新产品通过汽车电子委员会（AEC）-Q101认证，旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证，对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说，可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性，实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求，降低系统成本和复杂性。
Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示：“作为汽车行业的长期供应商，Microchip持续拓展车用电源解决方案，引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案，帮助客户轻松过渡到碳化硅（SiC），同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。”
Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅（SiC）技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂，可通过灵活的制造方案提供高质量器件，帮助最大限度地降低供应链风险。
经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip 器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅（SiC）解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明，Microchip 的碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）在非箝位电感开关（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高温下电流泄漏水平最低，从而可以延长系统寿命，实现更可靠的运行。
Microchip 的 SiC 汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合，为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率模块的广泛产品组合。此外，Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。
开发工具
Microchip 通过 AEC-Q101 认证的碳化硅肖特基二极管（SiC SBD） 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB® Mindi™ 模拟仿真器。同时还提供Microchip SBD（1200V, 50A）作为功率级的一部分的PLECS参考设计模型，即Vienna三相功率因数校正（PFC）参考设计。
供货与定价
Microchip车用的700和1200V SiC SBD器件（也可作为功率模块的裸片）已经通过AEC-Q101认证，现已开始接受批量订单。
