中国北京，2022年9月13日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。作为新协议的一部分，X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权，将这一技术的性能优势带给大批量市场的客户群体。
↑X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台
新创建的130纳米平台显著加强了X-FAB的技术组合，提供了独特的解决方案，达到满足下一代通信要求所需的更高性能参数。受益于这项技术的领域包括Wi-Fi 6（和未来的Wi-Fi 7）接入点，以及下一代蜂窝基础设施（特别是5G 毫米波与新兴6G标准）和车对车（V2V）通信；该技术还将在+100GHz雷达系统的开发中发挥关键作用，适用于汽车和消费类应用。
这项许可协议延续了2021年启动的合作，当时X-FAB的铜后道工艺被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技术中，以提高可支持的带宽数据。关于这一创新的SiGe平台，X-FAB将于2022年第四季度开始与选定的早期合作厂商开展原型开发项目。早期准入的PDK可实现原型设计，而量产将在X-FAB法国位于巴黎附近的工厂进行。
IHP科学总监Gerhard Kahmen教授表示：“将IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平台，将为客户打造真正与众不同的SiGe BiCMOS技术，这肯定会带来切实的性能优势。我们双方之间的技术转让，已成为工业与研究机构携手取得卓越成果的完美范例。”
“X-FAB和IHP在融合我们各自优势资源开发前沿半导体解决方案领域拥有杰出的成绩；双方针对SiGe技术的最新协议将这一实践带入令人兴奋的全新阶段。”X-FAB RF技术总监Greg U'Ren博士表示，“这是双方进一步推进SiGe BiCMOS相关创新的起点，涵盖了工业自动化、消费电子和车载等使用案例，将推动在未来几年内对通信领域的重新定义。”
缩略语：
BiCMOS：双极互补金属氧化物半导体
HBT：异质结双极型晶体管
mmW：毫米波
PDK：工艺设计套件
RF：射频
SiGe ：锗硅
